Производители демонстрируют модули DDR4

Возможности чипов оперативной памяти DDR3 давно известны, максимальные значения достигнуты, системы охлаждения сто раз переделаны. Настало время представить следующий, еще не освоенный стандарт. Сказано — сделано. Крупнейшие производители продемонстрировали модули DDR4 на конференции по твердотельным микросхемам ISSCC.

Среди первых модули DDR4 показали гиганты индустрии, компании Samsung и Hynix. Как сообщают очевидцы, другие крупные фирмы Micron и Nanya воздержались от громких демонстраций. Модули DDR4, показанные производителями, предлагают весьма значительные улучшения и увеличенную производительность по сравнению с существующим стандартом. Так, оперативная память Samsung демонстрирует пропускную способность на уровне 2133 операций передачи данных в секунду при напряжении 1,2 В. Для сравнения: чипы DDR3 предлагают максимум 1600 гигабит в секунду без повышения напряжения свыше стандартных значений 1,35 и 1,5 В. Модули компании Hynix повышают ставки — работают на частоте 2400 МГц (2400 операций передачи данных в секунду) при напряжении 1,2 В.

Сокращение энергопотребления DDR4 хорошо скажется на времени работы мобильной техники без подключения к розетке. О скоростных преимуществах, впрочем, говорить рано. Ожидается, что оперативная память DDR4 станет новым официальным стандартом индустрии в 2014 году, но производство чипов и модулей начнется раньше — в 2013 году.

Из других новостей: японский производитель чипов оперативной памяти Elpida оформляет банкротство — долги компании зашкаливают за отметку $5,5 миллиарда. Производитель, основанный в далеком 1999 году, не справился с конкуренцией и постоянным снижением цен на готовые модули.