Samsung готовит выпуск сверхбыстрой памяти HBM2E

В марте прошлого года Samsung анонсировала новый тип памяти — HBM2E третьего поколения под названием Flashbolt. Теперь же производитель сообщил о скором начале выпуска. Память предназначается для суперкомпьютеров, систем машинного обучения и искусственного интеллекта, а также графических ускорителей. Производство стартует в первом полугодии.

Из особенностей Flashbolt отметим увеличение объёма памяти в расчёте на стек. Теперь на подложке собраны восемь чипов DRAM плотностью по 16 Гбит. То есть объём составляет 16 ГБ.

Скорость передачи данных на контакт составляет 4,2 Гбит/сек, пропускная способность всего стека — 538 ГБ/сек. Для сравнения, у второго поколения Aquabolt показатель был в 1,75 раза меньше.

К слову, параметры памяти превосходят ранее установленные требования JEDEC. Там говорилось о скорости в 3,2 Гбит/сек на контакт и пропускной способности в 410 ГБ/сек. Важно отметить, что именно маркировки HBM2E нет в документах JEDEC. Так в Samsung называют память HBM2 и её модификации.

Также отметим, что такие модули превосходят GDDR6, однако, очевидно, будут дороже, хотя пока что не сообщается, когда выйдут готовые решения с такой памятью. Не исключено, что HBM2E третьего поколения появится в новых картах AMD Big Navi.