SK Hynix начнёт производство памяти DDR5 в этом году
Южнокорейский производитель SK Hynix также готовится к началу массового производства чипов оперативной памяти DDR5. Старт запланирован в этом году, хотя пока не уточняется, когда именно готовые модули выйдут на рынок.
Заявлено, что DDR5 может предложить более чем в два раза более высокую пропускную способность по сравнению с DDR4, что важно для систем ИИ и технологий машинного обучения. При этом заявлено, что новая память станет более ёмкой и безопасной, чем DDR4.
Как отмечается, минимальная частота для DDR5 по спецификации составит 3200 МГц, но производитель планирует начать с 4800 МГц и довести её до 8400 МГц. А минимальная плотность одного кристалла DDR5 составляет 8 Гбит. Максимум же — 64 Гбит, что в четыре раза превышает аналогичный показатель DDR4.
Также заявлено снижение рабочего напряжения. Если «четвёрка» использовала 1,2 В, то «пятёрка» будет работать на 1,1 В. Это сделает новую память более экономичной и холодной при прочих улучшенных характеристиках. В результате потребляемая мощность упадёт на 20%.
Разумеется, должны ещё появиться процессоры и материнские платы с поддержкой такой памяти, поэтому ждать полноценного выхода новой памяти на рынок стоит не ранее 2021 года.